Зарегистрировано открытие явления гетерофазной автолокализации электронов проводимости.

29.11.1981
Э. Л. Нагаев, А. И. Ларкин и Д. Е. Хмельницкий установили явление гетерофазной автолокализации электронов проводимости в полупроводниках, заключающееся в образовании областей иного фазового состояния с одним или несколькими электронами проводимости.